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吉越 章隆; 寺岡 有殿
Japanese Journal of Applied Physics, Part 1, 42(9A), p.5749 - 5750, 2003/09
被引用回数:2 パーセンタイル:10.7(Physics, Applied)Oの並進運動エネルギーによって誘起されるHF溶液によって処理したSi(001)表面の室温酸化を放射光光電子分光法と超音速分子線技術によって調べた。室温において、0.04eVの並進運動エネルギーでは、酸化は進まないことが分かった。一方、3.0eVの並進運動エネルギーの場合は、Si, Si及びSi を含む最大Siまで酸化が進むことが明らかとなった。最終的な酸化膜厚が0.26nmであることから、最表面のSi原子が酸化していることが明らかとなった。